シリコン (Si) と炭素 (C) で構成される化合物半導体材料です、。SiCはセラミックスの一種であり、非常に優れた機械的特性、化学的安定性、耐熱性などの特徴から、、Siなどの従来の半導体と比較して効率よく電力を交換でき、さらに発生する熱量も少ないため、シリコンに代わる次世代パワー半導体材料として需要の伸長が期待されています。